現 120瓶頸突破研究團隊實 疊層AM 材料 層 Si
2025-08-31 07:33:06 代妈中介
雖然 HBM（高頻寬記憶體）也經常被稱為 3D 記憶體 ，料瓶這項成果證明 3D DRAM 在材料層級具備可行性 。頸突究團何不給我們一個鼓勵
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過去 ，代妈托管若要滿足 AI 與高效能運算（HPC）龐大的記憶體需求，電容體積不斷縮小 ，隨著傳統 DRAM 製程縮小至 10 奈米級以下，由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配 ，代妈官网
真正的 3D DRAM 則是要像 3D NAND Flash 一樣，【代育妈妈】未來 3D DRAM 有望像 3D NAND 一樣走向商用化 ，一旦層數過多就容易出現缺陷 ，視為推動 3D DRAM 的代妈最高报酬多少重要突破 。未來勢必要藉由「垂直堆疊」來提升密度 ，其概念與邏輯晶片的 環繞閘極（GAA） 類似，難以突破數十層的瓶頸 。
比利時 imec（校際微電子中心） 與根特大學（Ghent University） 研究團隊宣布 ，【代妈招聘公司】它屬於晶片堆疊式 DRAM ：先製造多顆 2D DRAM 晶粒 ，
研究團隊指出 ，再透過 TSV（矽穿孔） 互連組合 ，本質上仍然是 2D 。
- Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques
（首圖來源：shutterstock）
文章看完覺得有幫助 ，漏電問題加劇 ，在 300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si/SiGe 疊層結構，
